Samenvatting: Toshiba start tweede fase constructie van halfgeleiderfabricage faciliteit No. 5 in Yokkaichi

Monday, 26 August 2013 01:09 Australian Business PR - Retail
Print
image image

TOKIO--(BUSINESS WIRE)--Toshiba Corporation (TOKYO:6502) heeft vrijdag een baanbrekende ceremonie gehouden in aanloop naar de start van de contructie van de tweede fase van Fab 5, de state-of-the-art geheugenproductiefaciliteit bij Yokkaichi Operations in de prefectuur Mie.

Toshiba breidt Fab 5 uit om productieruimte veilig te stellen voor NAND flash memori gemaakt met next generation procestechnologie en voor 3D geheugen. De bouw zal volgende zomer klaar zijn, en beslissingen over investeringen van uitrusting en productielevels zal marktrends reflecteren.

Momenteel werken drie faciliteiten bij Yokkaichi Operations aan de massaproductie van NAND flash memories, inclusief Fab 5 fase 1.

Deze bekendmaking is officieel geldend in de originele brontaal. Vertalingen zijn slechts als leeshulp bedoeld en moeten worden vergeleken met de tekst in de brontaal welke als enige juridische geldigheid beoogt.

Read more