MUNIQUE, Alemanha e OSAKA, Japão--(BUSINESS WIRE)--A Infineon Technologies AG (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) e a Panasonic Corporation (TSE: 6752) anunciaram um acordo em que irão desenvolver conjuntamente dispositivos de nitreto de gálio (GaN) baseados na estrutura de transistores de silício Gan normalmente-off (modalidade do realce) GaN da Panasonic integrados em pacotes de dispositivo de montagem em superfície (SMD) da Infineon. Nesse contexto, a Panasonic forneceu à Infineon uma licença da sua e