MUNICH, Alemania y OSAKA, Japón--(BUSINESS WIRE)--Infineon Technologies AG (FSE: IFX/OTCQX: IFNNY) y Panasonic Corporation (TSE: 6752) han anunciado un acuerdo en virtud del cual ambas empresas desarrollarán conjuntamente los dispositivos de nitruro de galio (GaN) basados en la estructura del transistor de GaN en silicio normalmente inactivo (modo mejorado) de Panasonic integrado en los paquetes de dispositivos montados en superficie (Surface Mount Device, SMD) de Infineon. En este contexto, Pa