松下與三社電機聯合開發低工作損耗的緊湊型碳化矽功率模組

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日本大阪--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)--松下公司(松下)與Sansha Electric MFG Co., Ltd.(三社電機)今日宣布兩家公司已聯合開發出一款非常緊湊的碳化矽(SiC)功率模組,同時實現功率轉換系統的超高效率運作。該碳化矽功率模組具有極其卓越的可靠性,有助於顯著減少如工業變頻器和電源等功率轉換系統的尺寸。 碳化矽具有優越的材料特性,前景非常廣闊,並可望減少各種轉換系統的功耗。需將這些高功率轉換設備封裝在所謂的功率模組之中,其中整合多個電晶體。所研發的碳化矽功率模組採用以下專有技術。 1) 松下SiC DioMOS(整合二極體的MOSFET)具有反向導電二極體的特性,無需任何外部二極體。相較於傳統碳化矽晶片,該碳化矽晶片的整體面積減少一半,有助於減少該模組的總尺寸。DioMOS結構的改良設計將導通電阻減少至6mΩ/150A。 2) 三社電機的Techno Block模組技術利用焊劑接合碳化矽晶片,無需任何引線接合。該組態將模組的高度減少至傳統模組高度的一半,而功率循環測試耐久度則提高了兩倍。 焊接的碳化矽功率模組在單一封裝內整合有兩個碳化矽電

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