德国慕尼黑与日本大阪--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)--英飞凌科技公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)与松下公司(TSE: 6752)宣布达成一项协议。根据该协议，在将松下常关型（增强型）硅基氮化镓(GaN)晶体管结构集成到英飞凌表面贴装器件(SMD)封装内的基础上，双方将联手开发氮化镓(GaN)器件。出于这一原因，松下为英飞凌颁发了松下常关型GaN晶体管结构的许可证。该协议将有助于这两家公司制造高性能GaN器件。兼容性封装的GaN电源开关（目前任何其他硅基GaN器件都无法获得这种装置）将拥有两个可靠的来源，客户会从中获得额外优势。双方均同意不进一步披露本协议的任何细节。应用电力电子会议与设备展览会(APEC)将于2015年3月15至19日在北卡罗来纳州夏洛特市举办。届时两家公司将在APEC上首次展示双侧引脚小外形封装(DSO)的600V 70mΩ器件样品。 作为一种下一代化合物半导体技术之一，硅基GaN一直以来都是重点关注的对象，一方面硅基GaN会使高功率密度和更小占用空间（如对电源和适配器而言）成为可能，另一方面会成为提高能源效率的关键因素