東京--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） -- 東芝は、世界で初めて注１48層積層プロセスを用いた128ギガビット（16ギガバイト）の２ビット／セル（MLC） 3次元フラッシュメモリ（BiCS）注２を開発し、本日からサンプル出荷を開始します。本製品は、SSDを中心に市場ニーズに合わせて展開する予定です。 新製品は、世界最先端の48層積層プロセスを用いたフラッシュメモリで、現行製品と比べて書き込み速度の高速化、書き換え寿命などの信頼性向上を実現しています。 当社は、2007年に3次元積層構造を用いたフラッシュメモリを世界で初めて公表注３して以来、生産性の最適化を含めて開発してきました。スマートフォン、タブレット、メモリカードなどのコンシューマ製品やデータセンタ向けエンタープライズSSDなどで、今後も継続して求められるメモリの大容量化、小型化など多様な市場ニーズに応えるため、フラッシュメモリの3次元積層構造化を進め、SSDを中心とした製品群を展開していきます。 なお、BiCSは2016年前半に竣工予定の当社四日市工場新・第2製造棟でも生産を行う予定です。 注1：当社調