安大略省、渥太华--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- 氮化镓功率开关半导体领先开发商 GaN Systems Inc. 携其知名的增强型氮化镓（在硅上）高功率晶体管系列新款产品亮相上海 PCIM Asia （展位：4D18）。新款 GaN 高功率增强型器件 (GS65516T) 基于三种核心专有技术，拥有市场上最高电流能力（达 60A），并进一步扩大了 GaN Systems 全球领先的功率开关半导体的范围。 GS65516T 650V 增强型功率开关融入了今年 3 月份发布的 GaN Systems 新型专有上层冷却技术，使该器件能够通过大众熟知的传统散热器和风扇进行冷却。依托公司的超低 FOM Island Technology® 片芯设计，采用低电感且极具热效率的 GaNPX™ 封装，尺寸为 9.0mm x 7.6mm x 0.45mm。GS65516T 650V E-HEMT 还具有反向电流能力、积分源传感和零反向恢复损耗等特征。双栅垫件有助于设计工程师实现最优板布局。GS65516T 适用于高频率、高频率功率转换应用，如内置充电器、400V DC-DC