日本大阪--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)--松下公司今日宣布将推出业界最小的增强型[1]氮化镓(GaN)[2]功率晶体管(X-GaNTM)**封装。GaN封装采用8x8双平面无引线(DFN)表面粘装型封装。可将该封装安装在传统上难以安装的极小区域，有助于降低工业和消费电子设备的功耗。 *:截至2015年5月18日，根据松下公司调查，该600-V增强型GaN功率晶体管的占用空间。**:X-GaN是松下公司的商标。 增强型晶体管的击穿电压为600V，该产品实现200V/ns的高速开关和54—154mΩ的低导通电阻[3]。松下公司将于2015年7月启动10A型(PGA26E19BV)和15A型(PGA26E08BV)产品样品出货。 功率晶体管是用于控制电源的半导体器件。GaN是性能卓越的半导体化合物之一。当将它应用于晶体管时，可实现比硅(Si)和碳化硅(4H-SiC)更卓越的开关性能和更高的击穿电压。 我们的传统型GaN功率晶体管采用高导热表面贴装型封装TO220（尺寸：15 x 9.9 x 4.6mm），然而该封装还不够小，而且电子设备印刷电路板上的安装面积十分有限