日本大阪--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)--松下公司今日宣布將推出業界最小的增強型[1]氮化鎵(GaN)[2]功率電晶體(X-GaNTM)**封裝。GaN封裝採用8x8雙平面無引線(DFN)表面黏著型封裝。可將該封裝安裝在傳統上難以安裝的極小區域，有助於降低工業和消費電子設備的功耗。 *:截至2015年5月18日，根據松下公司調查，該600-V增強型GaN功率電晶體的佔用空間。**:X-GaN是松下公司的商標。 增強型電晶體的崩潰電壓為600V，該產品實現200V/ns的高速開關和54—154mΩ的低導通電阻[3]。松下公司將於2015年7月啟動10A型(PGA26E19BV)和15A型(PGA26E08BV)產品樣品出貨。 功率電晶體是用於控制電源的半導體元件。GaN是性能卓越的半導體化合物之一。當將它應用於電晶體時，可實現比矽(Si)和碳化矽(4H-SiC)更卓越的開關性能和更高的崩潰電壓。 我們的傳統型GaN功率電晶體採用高導熱表面黏著型封裝TO220（尺寸：15 x 9.9 x 4.6mm），然而該封裝還不夠小，而且電子設備印刷電路板上的安裝面積十分有限
| < Prev | Next > |
|---|
