MÜNCHEN & OSAKA, Japan--(BUSINESS WIRE)--Die Infineon Technologies AG (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) und die Panasonic Corporation (TSE: 6752) haben eine Vereinbarung zur gemeinsamen Entwicklung von Galliumnitrid-(GaN)-Bausteinen unterzeichnet. Diese basieren auf der selbstsperrenden GaN-auf-Silizium-Transistorstruktur von Panasonic, die in ein oberflächenmontierbares (SMD)-Gehäuse von Infineon integriert wird. In diesem Zusammenhang hat Panasonic eine Lizenz für die selbstsperrende GaN-Transistorst
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