日本大阪--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)--松下公司（松下）与Sansha Electric MFG Co., Ltd.（三社电机）今日宣布两家公司已联合开发出一款非常紧凑的碳化硅(SiC)功率模块，同时实现功率转换系统的超高效运行。该碳化硅功率模块具有极其卓越的可靠性，有助于显著减少如工业变频器和电源等功率转换系统的尺寸。 碳化硅具有优越的材料特性，前景非常广阔，并有望减少各种转换系统的功耗。需将这些高功率转换设备封装在所谓的功率模块之中，其中集成多个晶体管。所研发的碳化硅功率模块基于以下专有技术。 1) 松下SiC DioMOS（集成二极管的MOSFET）具有反向导电二极管的特性，无需任何外部二极管。相比传统碳化硅芯片，该碳化硅芯片的整体面积减少一半，有助于减少该模块的总尺寸。DioMOS结构的改良设计将导通电阻减少至6mΩ/150A。 2) 三社电机的Techno Block模块技术利用焊剂接合碳化硅芯片，无需任何引线接合。该配置将模块的高度减少至传统模块高度的一半，而功率循环测试耐久度则提高了两倍。 焊接的碳化硅功率模块在单个封装内集成有两个碳化硅晶体管
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