德國慕尼黑與日本大阪--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)--英飛淩科技公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)與松下公司(TSE: 6752)宣布達成一項協議。根據該協議，在將松下常關型（增強型）矽基氮化鎵(GaN)電晶體結構整合到英飛淩表面黏著元件(SMD)封裝內的基礎上，雙方將聯手開發氮化鎵(GaN)元件。基於這項原因，松下將松下常關型GaN電晶體結構的授權提供給英飛淩。該協議將有助於這兩家公司製造高性能GaN元件。相容性封裝的GaN電源開關（目前任何其他矽基GaN元件都無法獲得這種裝置）將擁有兩個可靠的來源，客戶會從中獲得額外優勢。雙方均同意不進一步揭露本協議的任何細節。應用電力電子會議與設備展(APEC)將於2015年3月15至19日在北卡羅來納州夏洛特市舉辦。屆時兩家公司將在APEC上首次展示雙側引腳小輪廓封裝(DSO)的600V 70mΩ元件樣品。 作為一種下一代化合物半導體技術之一，矽基GaN一直以來都是重點關注的對象，一方面矽基GaN會使高功率密度和更小佔用空間（如對電源和配接器而言）成為可能，另一方面會成為提高能源效率的關鍵因素。總之
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