东京--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)--东芝公司(Toshiba Corporation)(TOKYO:6502)旗下的半导体&存储产品公司(Semiconductor & Storage Products Company)今天宣布推出一款汽车用-40V P-ch功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。作为MOSFET系列的最新产品，“TJ200F04M3L”即日起开始出货。 新产品通过安装一枚采用东芝U-MOS VI沟槽工艺制造的芯片，实现了业界顶级[1]的低导通电阻。该芯片采用TO-220SM(W)封装，这种封装使用经过改进的Cu（铜）连接器区域。新产品的低导通电阻有助于减少电子设备的传导损耗。该产品正在进行测试，以期获得AEC-Q101汽车认证[2]。 主要规格： 产品型号 绝对最大额定值 封装 RDS(ON) 最大值 @VGS = 10V (mΩ) Tch (℃) VDSS (V) ID (A) TJ200F04M3L -40 -200 TO-220SM(W) 1.8 175 注释
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