東京--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)--東芝公司(Toshiba Corporation)(TOKYO:6502)旗下的半導體與儲存產品公司(Semiconductor & Storage Products Company)今天宣布推出一款汽車用-40V P-ch功率金屬氧化物半導體場效應電晶體(MOSFET)。作為MOSFET系列的最新產品，TJ200F04M3L即日起開始出貨。 新產品透過安裝一枚採用東芝U-MOS VI溝槽製程的晶片，實現了業界頂級[1]的低導通電阻。該晶片採用TO-220SM(W)封裝，這種封裝使用經過改進的Cu（銅）連接器區域。新產品的低導通電阻有助於減少電子設備的傳導損耗。該產品正在進行測試，以期獲得AEC-Q101汽車認證[2]。 主要規格： 產品型號 絕對最大額定值 封裝 RDS(ON) 最大值 @VGS = 10V (mΩ) Tch (℃) VDSS (V) ID (A) TJ200F04M3L -40 -200 TO-220SM(W) 1.8 175 注釋[1] 在具有相
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