東京--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)--東芝公司(TOKYO:6502)今日宣布研發全球首款*1運用矽穿孔(TSV)技術的16顆粒（最大）堆疊式NAND快閃記憶體。將於8月11日至13日在美國聖克拉拉舉行的2015年快閃記憶體高峰會(Flash Memory Summit 2015)上展示其原型。 堆疊式NAND快閃記憶體的先前技術是在封裝內運用打線接合法(wire bonding)連接在一起。而TSV技術利用垂直電極和貫穿矽晶片模的穿孔實現連接。該技術支援資料高速輸入和輸出，並降低功耗。 東芝TSV技術實現超過1Gbps的I/O資料速率，高於具有低電源電壓的任何其它NAND快閃記憶體。核心電路1.8V，I/O電路1.2V，寫入操作、讀取操作和I/O資料傳輸的功耗降低約50%*2。 這款全新的NAND快閃記憶體為包括高階企業級SSD在內的快閃記憶體應用提供理想的低延遲、高頻寬和高IOPS/Watt解決方案。 這項應用技術部分由日本新能源和工業技術開發組織(NEDO)研發。 該原型的一般規格 封裝類型 NAND Dual x8 BGA-152 儲存容量(G
| < Prev | Next > |
|---|
