东京--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)--东芝公司(TOKYO:6502)今日宣布研发全球首款*1运用硅通孔(TSV)技术的16颗粒（最大）堆叠式NAND闪存。将于8月11日至13日在美国圣克拉拉举行的2015年闪存峰会(Flash Memory Summit 2015)上展示其原型。 堆叠式NAND闪存的先前技术是在封装内运用引线接合法连接在一起。而TSV技术利用垂直电极和贯穿硅芯片模的通孔实现连接。该技术支持数据高速输入和输出，并降低功耗。 东芝TSV技术实现超过1Gbps的I/O数据速率，高于具有低电源电压的任何其它NAND闪存。核心电路1.8V，I/O电路1.2V，写入操作、读取操作和I/O数据传输的功耗降低约50%*2。 这款全新的NAND闪存为包括高端企业级SSD在内的闪存应用提供理想的低延迟、高带宽和高IOPS/Watt解决方案。 这项应用技术部分由日本新能源和工业技术开发组织(NEDO)研发。 该原型的一般规格 封装类型 NAND Dual x8 BGA-152 存储容量(GB) 128 256 栈数： 8 16 外形尺寸 （毫米）
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