TOKIO--(BUSINESS WIRE)--Toshiba Corporation (TOKYO:6502) anunció hoy el desarrollo de la primera*1 memoria flash NAND apilada de 16 die (máx.) que utiliza tecnología de vías que atraviesan el silicio (Through Silicon Via, TSV). El prototipo se exhibirá en la Flash Memory Summit 2015 que tendrá lugar del 11 al 13 de agosto en Santa Clara, EE. UU. En la generación previa de memorias NAND apiladas la conexión consiste en unión por cables en un paquete. En cambio, la tecnología TSV utiliza electrod
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