TÓQUIO--(BUSINESS WIRE)--A Toshiba Corporation (TOKYO:6502) anunciou hoje o desenvolvimento da primeira *1 memória flash NAND empilhada de 16 die (máx.) mundial com tecnologia Through Silicon Via (TSV). O protótipo será mostrado na Flash Memory Summit 2015, que será realizado de 11 a 13 de agosto em Santa Clara, Califórnia, EUA. A técnica anterior de memórias flash NAND empilhadas é conectada com fio de ligação em um pacote. A tecnologia TSV, em vez disso, utiliza os eletrodos verticais e vias
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