東京--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)--東芝公司(Toshiba)(TOKYO: 6502)今天宣布，該公司與SK海力士(SK hynix)就奈米壓印技術(NIL)簽訂了最終協議。兩家公司的工程師將於今年4月在東芝位於日本橫濱的橫濱廠(Yokohama Complex)啟動該製程的基本技術開發，計畫於2017年投入實際使用。今天的公告是根據該公司去年12月簽訂的合作備忘錄(MOU)發布的。 東芝已與多家設備和材料公司在NIL領域展開合作，將他們的技術與東芝的半導體製程相整合。新宣布的與SK海力士一起合作的聯合開發計畫將加快投入實際使用的進程，並將減輕東芝在NIL開發領域的投入負擔。 NIL是促進向未來幾代存放裝置遷移的候選技術之一。微影技術是當前的主流製程技術，採用雷射和感光光罩在半導體晶片上的感光塗層上蝕刻回路。NIL透過將範本花紋蓋印在晶片上直接轉移回路設計。這種做法具有實現精細設計的潛力。 東芝將繼續推動下一代微影技術的發展，如NIL和超紫外線微影技術，作為加強其儲存業務以及向未來幾代產品遷移的途徑。 關於東芝 東芝公司是一家《財星》雜誌全球500大企業，
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