ドイツ・ミュンヘン & 大阪--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） -- インフィニオン テクノロジーズAG（本社：ドイツ ミュンヘン、以下、インフィニオン）とパナソニック株式会社（本社：大阪府 門真市、以下、パナソニック）は両社で窒化ガリウム（GaN）パワーデバイスを開発することに合意しました。シリコン基板上に実現した（以下、オンシリコン）パナソニックのノーマリオフ（エンハンスメントモード）GaNパワーデバイス構造をベースにインフィニオンの表面実装（SMD：surface-mounted device）パッケージに組み込みます。これに関連し、パナソニックはインフィニオンへノーマリオフGaNトランジスタ構造のライセンスを提供します。本合意により両社それぞれが高性能なGaNデバイスを製造できるようになります。お客様にとりましてはパッケージ互換のGaNパワースイッチを、これまで他のGaNオンシリコン デバイスではできなかった二社から調達できる利点があります。両社は契約に関してこれ以上の詳細を開示しないことに合意しています。両社は2015年3月15日から19日に米国ノース
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