MONACO (Germania) e OSAKA (Giappone)--(BUSINESS WIRE)--Infineon Technologies AG (FSE: IFX/OTCQX: IFNNY) e Panasonic Corporation (TSE: 6752) hanno annunciato un accordo ai sensi del quale le due società svilupperanno congiuntamente i dispositivi al nitruro di gallio (GaN) partendo dalla struttura dei transistor GaN su substrato di silicio normalmente spenti (modalità potenziamento) di Panasonic che sarà integrata nei pacchetti con montaggio superficiale dei dispositivi (surface-mounted device, S
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