MUNICH, Germany and OSAKA, Japan--(BUSINESS WIRE)--Infineon Technologies AG en Panasonic Corporation hebben aangekondigd dat ze een overeenkomst hebben gesloten over de gezamenlijke ontwikkeling van apparaten van galliumnitride (GaN). Deze producten zijn gebaseerd op Panasonics doorgaans uitgeschakelde GaN-op-siliconen-transistorstructuur, die worden geïntegreerd in Infineons pakketten met zogeheten surface-mounted devices. In dit licht verleende Panasonic Infineon een licentie voor zijn GaN-op
| < Prev | Next > |
|---|
