大阪、日本--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） -- パナソニック株式会社は、耐圧600Vのエンハンスメントモード[1]の窒化ガリウム（GaN）[2]パワーチップを表面実装型パッケージ[3] DFN （dual-flat no-leads) 8x8に組み込んだ業界最小のGaNパワートランジスタ（X-GaNTM）を製品化しました。本製品は200V/nsの高速スイッチングを実現し、産業用あるいは民生用の各種電力機器における省スペース化、さらに、低オン抵抗(54～154mΩ)[4]による省エネルギー化が可能となります。2015年7月より耐圧600V、定格電流10A（PGA26E19BV）、15A （PGA26E08BV）のサンプルを出荷開始します。GaNパワートランジスタは機器の電源を制御する半導体で、次世代化合物半導体のひとつとして注目されています。当社従来開発品のTO220パッケージを用いたGaNパワートランジスタは、パッケージの高放熱特性を活かした高出力の用途に向いていましたが、サイズが大きいことが課題でした。本製品では、8mm x 8mm x 1.25mmの小さ
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