東京--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） -- 東芝は、マイコン・無線通信IC向けに65nmのロジックプロセスをベースとした、フラッシュメモリとロジック回路の混載プロセス（以下、65nm-フラッシュ）を開発しました。また、130nmロジックプロセスと130nmのアナログパワープロセスをベースとした、シングルポリ不揮発性メモリとロジック回路の混載プロセス（以下、130nm-NVM[1]）も開発しました。今後、これらのプロセスを、マイコン、無線通信、モーター制御や電源などのさまざまなアプリケーションに適用し、製品ラインアップを拡大していきます。65nm-フラッシュを適用した製品は2016年第2四半期に、130nm-NVMを適用した製品は2015年第4四半期に、サンプル出荷を予定しています。 65nm-フラッシュでは、当社の65nmロジックプロセス技術をベースに、米国シリコンストレージテクノロジー社(SST社)[2]の保有する第3世代SuperFlash®セル技術を加え、回路設計や製造プロセスを最適化することにより、消費電力の削減を実現しました。従来のプロセスに対して、
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