东京--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)--东芝公司(Toshiba Corporation) (TOKYO:6502)今天宣布，该公司已基于使用小于当前主流技术功率的65纳米逻辑工艺开发了闪存嵌入式工艺，以及基于130纳米逻辑及模拟电源工艺开发了单栅非易失性存储器(NVM)工艺。将最佳工艺用于不同应用将使东芝能够扩大其在微控制器、无线通信集成电路(IC)、电机控制驱动器和电源IC等领域的产品阵容。130纳米非易失性存储器和65纳米闪存的样品出货计划分别于2015年第四季度和2016年第二季度启动。 目前，物联网(IoT)市场在部分领域对低功耗有着强劲的需求，包括可穿戴和医疗保健相关的设备。作为回应，东芝采用了SST[2]的第三代SuperFlash®电池技术，以及其自有的65纳米逻辑工艺技术。该公司还拥有微调电路和制造工艺，用于开发其超低功耗闪存嵌入式逻辑工艺。采用这种工艺的微控制器面向消费和工业应用推出，可将功耗降低至当前主流技术的约60%。 继首个系列的微控制器之后，东芝计划于2016财年推出短距离无线技术——蓝牙低功耗(BLE)产品——的样品。该公司还计划将
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