千葉--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） -- セイコーインスツル株式会社（略称：SII、社長：村上 斉、本社：千葉県千葉市）は、このほど、0.5Ωおよび1.5Ωの業界最小クラスの内部インピーダンスと10nA以下のリーク電流を実現した高容量チップ形電気二重層キャパシタ「CPX10080C104F」と「CPZ10080C104F」、および急速充電対応チップ形電気二重層キャパシタ「CPX10080C402F」を開発しました｡今年8月からサンプル出荷を開始し、2016年7月より量産出荷の予定です。 電気二重層キャパシタは、充放電により電解液中のイオンが吸着・脱着することで電気を蓄える蓄電素子です。今回開発した「CPX10080C104F」および「CPZ10080C104F」は、小形でリフロー実装が可能なチップタイプの電気二重層キャパシタでありながら、内部インピーダンスを0.5Ω(CPX10080C104F)、1.5Ω(CPZ10080C104F)まで低減しました。これにより数百mA（数百mW）の高出力放電を実現します。また、リーク電流は10nA程度であり、これにより、エ
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