東京--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） -- 東芝は、世界で初めて注１TSV注2技術を用いた最大16段積層（256GB）のNAND型フラッシュメモリを開発し、８月11日から13日まで米国サンタクララで開催される「Flash Memory Summit 2015」で試作品を参考展示します。 従来のＮＡＮＤ型フラッシュメモリでは、チップを１つのパッケージ内で積層する際、ワイヤを用いてチップを接続していましたが、TSV技術では、複数のチップの内部を垂直に貫通する電極を用いることにより、データ入出力の高速化と消費電力の低減が可能になります。 試作品は、TSV技術により、従来のNAND型フラッシュメモリ製品を大幅に上回る1Gbps以上の入出力データレートを実現したほか、コア電源注３で1.8Ｖ、I/O電源注４で1.2Vまで電圧を低減し、当社従来品に対し、プログラム動作、リード動作、データ入出力動作時でそれぞれ約50%の消費電力を削減注５しました。 当社は、今後TSV技術を用いたNAND型フラッシュメモリの製品化を目指し、アクセス遅延時間の低減、データ転送速度の高速化、単位消
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