TOKYO--(BUSINESS WIRE)--Toshiba Corporation heeft vandaag bekendgemaakt dat het ‘s werelds eerste NAND-flashgeheugen gaat maken met gebruik van de technologie Through Silicon Via (TSV). Een prototype van het flashgeheugen, dat bestaat uit zestien op elkaar gestapelde blokjes geleidend materiaal, zal voor het eerst te zien zijn op de Flash Memory Summit 2015, die van 11 tot 13 augustus plaatsvindt in Santa Clara in de Verenigde Staten. Momenteel worden NAND-flashgeheugens uit opgestapelde plaatj
| < Prev | Next > |
|---|
